포스텍 전자전기공학과 김세영 교수 연구팀의 박사과정 김혜진, 통합과정 최준영 학생의 논문 2편이 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2026에 동시 채택되었다. IEDM은 VLSI 심포지엄, ISSCC와 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽히며 '반도체 올림픽'으로 불리는 국제학회로, 올해는 12월 미국 샌프란시스코에서 개최될 예정이다.
두 논문은 각각 Memory Technology(MT) 세션과 Neuromorphic Computing(NC) 세션에서 발표된다. 김혜진 연구원은 삼성전자와의 공동연구를 통해 전기화학적 도핑으로 동작하는 IGZO 기반 수직형 NAND를 세계 최초로 구현하여, 7 V 이하의 저전압에서 셀당 5비트 저장을 달성하였다. 최준영 학생은 단일 분리 게이트(split-gate) 트랜지스터 기반의 시냅스 소자와 2K 규모 어레이를 세계 최초로 구현하여, 10 ns 이하의 초고속 아날로그 AI 학습이 가능함을 보였다.
특히 두 논문은 각 세션의 상위권 논문으로 선정되어, 반도체 소자 분야 공식 저널인 IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS)에 확장 논문을 제출할 수 있도록 초청받는 기회도 얻었다.
•MT
세션
(김혜진):
First Demonstration of IGZO-Based Vertical Electrochemical NAND (V-EcNAND)
Achieving 5-bit/cell at 40 nm Channel with Sub-7 V Operation
•NC
세션
(최준영):
First Demonstration of a Split-Gate Write-Transistor Gain Cell with a Sub-100
nm Gate Gap and Its 2K Synaptic Array for Ultrafast Analog AI Training
