선수과목 : EECE211(반도체전자공학Ⅰ) 대학원 수준의 Bipolar Transistor의 동작원리, 특성, 모델링, 및 HBT에 관한 제반 기술을 습득한다. 여기에는 P/N Junction, Heterojunction 등의 Junction, emitter-base junction, base, collector, high current level behavior, t 회로설계를 위한 등가 모델 등이 포함된다.